铠侠宣布斥资16.75亿元研发下一代内存
据《日经新闻》报道,日本NAND Flash大厂铠侠宣布,将在未来3年内,投资360亿日元(约合人民币16.75亿元),研发面向AI的下一代更省电的内存,目标在2030年代前半段实现商业化。而日本政府最高将提供50%的补贴。
铠侠指出,将研发基于CXL(Compute Express Link)的内存,和目前的DRAM相比,更省电;和现有的NAND Flash相比,读取速度更快。相较于DRAM在电力中断时、数据就会消失,CXL內存即便在断电时、也能保留大量数据,能降低AI驱动时的耗电量。
虽然目前铠侠是全球第三大NAND Flash芯片厂商,但是其并没有像三星、SK海力士、美光等竞争对手那样拥有丰富的面向AI的各类DRAM产品,因此铠侠希望通过研发下一代内存来改变目前仅有NAND Flash产品的尴尬局面。
编辑:芯智讯-浪客剑
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